本站 9 月 12 日消息，三星电子今日宣布，三星首款 1 太比特四层单元（qlc）第九代 v-nand 已正式开始量产，而 1tb tlc 产品已于今年 4 月开始量产。据介绍，三星 qlc 第九代 v-nand 实现3 I ^ I了多项技术突破，本站汇总如下：通道孔蚀刻. ? \ I P t W技术（channo O f g = p b ( Zel hole etching），能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在 tcl 第九代 v-nand 中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代 qlc v-nand 提升约 86T U Y r \ ] K%。预设模具（desB ] ! * + `igned mold）技术，能够调整控制存储单元的字线（wl）间距，确保同一单元; t K 3 i B层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致（v-nand 层数越多，存储单元特性越重要）；采用预设模具技术使得Z c . L S | ` 9数据保存性能相比之前的版本提升a ! . : @ | P Z L约 20%，增强可靠性。预测程序（predictiv& ? * 6 c e pe program, M 7 / + a）技术，能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要v [ Z Q A * f的操作，让三星 qlc 第九代 v-nand 的w 8 ;写入性能翻倍，i/o 速度提升 60%。低功耗设计（low-power design）技术，使数据读取功耗约分别下降了约 30% 和 50%。该技术降低了驱动 nanj ~ –d 存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（bl），从而尽可能减少功耗。
此外，三星还表示将扩大 QLC 第九代 V-NAND 的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器 SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
以上就是三星电子宣布其首款 1TI m L j ~b QLC 第九代 V-NAND 正式开始量产的详细内容！
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