本站 11 月 27 日消息，isscc 官网现已公布 2025 ieee isscc 国际固态电路会议的日程，该会议将于明年 2 月 16 日~20 日在美国加州旧金山举行。
- 包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS 部存储器业务总裁兼总经理李祯培在内的四位业内人士将在 17 日的全体会议上发表演讲。
重写：
包括英特尔首席执行官帕特基辛格和三星电子存储器业务总裁兼总经理j 6 T # h F ~ y李祯培在内的四位行业K 5 p D | 2 Q专家将在 17 日的全体会议上发表演讲。
- 帕特・基辛格将介绍 AI 领域各层级的一系列技术，李祯培则将聚焦各类 AI 存储器及其发展。
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基辛格将探讨人工智能各个层面的技术，而李祯培将重点关注人工智能存储器及其演进。
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在具体会议日程中，SRAM、非易失性存储和 DRAM 专题均安排在 2 月 19 日举办。
值得关注的是，台积电将n % : T P 6 8 Y介绍存储k U D E密度达到 38.1 Mb/mm2 的 2n, ` v um Nanosheet 制程 SRAM。此外，英特尔也将展示采用 BSPDN 背面供电@ / 1设计的 Intel 18G : f ] q 6 U r BA RibbonFET 工艺高密度 SRAM。
非易失性存储
- 三星电子：28Gb / mm 密度O \ z X h J % H Y、4XX 层堆叠、1Tb 容量 3D TLC NAND，采用晶圆键合技术，I/O 引脚速率 5.6Gb/s。
- 铠侠-西部数据联; B G q 8 J D盟：I/O 引脚速率 4.8Gb/s 的 1Tb4 [ ? m Y * – 3D TLC NAND，3 C y z b _ { \ *读取操作能效提升 29m # ] f h t b%。
- SK 海力士：75MB/s 编程吞吐量、321 层（V9）2Tb QLC NAND。
- SK 海力士和铠侠：合作开发的 64Gb DDR4 STT-MR= b b g ) q q _AM，采用交叉点存储和磁隧道节结构。
DRAM
- 三星电子：42.5Gbps 的 24Gb GDDR7 产Y v D D品。
- 三星] h u 9电子：第 5 代 10nm 级（1bnm、12nm 级）工艺的超高速 16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，I/O 引脚速率 12.7Gb/s。
以上就是2025 年度 IEEE ISSCC 学术会议日程公布，三星将介绍 4XX 层 3D NAr M x s \ n % U #ND的详细内容！
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