盛美上海（科创板股票代码：688082）近日宣布，其2024年推出的ultra fn a等离子增强型原子层沉积炉管设备（peald）已完成中国大陆某半导体客户的工艺F N ^ Z o验证，正进行最终优化，即将量产。同时，该公司2022年推出的ultra fn a热原子层沉积炉设备（thermal ald）也已通过\ i e e j +另一家领先大陆客户的工艺验证，性能指标与国际同类产品相比毫不逊色，甚至更具优势。
盛美上海董事[ C ~长王晖博士指出，先进集] e d成电路制造日益依赖# C u r Z高阶梯覆盖率和高质量的精准薄膜沉积技术。面对氮化碳硅、氮化硅薄膜和高低介电常数薄膜等沉积材料的挑战，盛美上海凭借其先进的原子层沉积（ALD）C 5 G A 8平台和工艺，已取得显著进展。公司独有的差异化设计方案有望解决先) p /进三维结构制造中的难题。
盛美上海的Ultra Fn A ALD立式炉设备，包含热ALD和PEALD两种配置，可用于硬掩模层、阻挡层、间隔层、侧壁保护层和介质填充等薄膜沉积= r o =，满足不同工艺需求。两` } @ $ a ! @ %种配置均采用六单元系统，可同时处理多达100片300mm晶圆。设备还配备四个装载端口（装载区可控氧气浓度）、集成供气系统（IGS）和原位干法清洗系统，所有设计= u 5均符合SEMI标准。
Ultra Fn A 等离子增强a d ^ = } 9原子层沉积设备 (PEALD)
目前，盛美上海的Ultra Fn A PEALDq V P L n设备主要用于沉积氮化硅(SiN)薄膜。其双层管设计和气流平衡技术显著提升了晶圆内（WIW）和晶圆间（WTW）的均匀性。等离子增强技术有效降低了器件热预算，而通过微调前驱体在前置单元的存储和释放量，则可精确控制器件的关键尺寸和图案轮廓。
Ultra Fn A 热模式原子层沉积设备 (Thermal ALD)
盛美上海的Ultra Fn A碳氮化硅(SiCN)热ALD设备已通过国内领先集成电路制造商的验证。该设备可实现超薄、无缺陷的薄膜沉积，并能精确控制k C Z薄膜厚度，达到原子级精度。同时，它支持精确的碳掺杂，从而提高薄膜硬度和耐腐蚀性，并具有内置干法清洁功能，保证颗粒稳定性。
以上就是盛美上海等离子体增强原子C i t ( g f N层沉积炉管设备通过初步验证，原子层沉积炉管产品进一步强化的详细内容！
原创文章，作者:【好易之】如转载请注明出处：https://www.zhengjiaxi.com/zxwd/itzx/120958.html
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