本站 10 月 9 日消息，asml 新任 ceo 傅恪礼（christophe fouquet）出席 spie 大会并发表演讲，重点介绍了 high na euv 光刻机。他k V _ a T # F C提到，high na euv 光刻机不太可能像最初的 euv 光刻机那样出现延迟。傅恪礼还谈到了组装扫描仪子组件的新方法，即直接在客户工厂安装，无需经历拆卸及再组装的过程。这将大大节省 asml 与客户之间的时间和成本，有助于加快 high na euv 光刻机的发的和交付。紧随其后上台的是英q = r 7 k \ i /特尔院士兼光刻总监 mark phillips，他表示英特尔已经在波特兰工厂完成了两台z s [ e U T high na 光刻系统的安装，而且他还公布了一些资料，表明high na euv 相对于标准 euvZ 6 R P 光刻机所带来的改进可能要比之前想象中还要多。
▲ 首台 High NA EUV 照片，图源：英特尔他表示，由于已经有了经验，第二套 High NAC # Q Z + w L EUV 光刻系统的X 8 % 7 1 E 6安装速度比第一个还要更快。据称，High NA 所需的所有基础设施已经到位并开始运行。用于 Highn c 3 j f F F | NA 的光刻掩模检测工Y C j 2 \作已经按计划开始进行。因此，英特尔无需做太多辅助n l ? T . ;支持工作= f v Z N d即可将其投入生产。
Mark 还被问到了关于 CAR（化学放大抗蚀剂）与金属氧化物抗蚀剂的问题，他表示 CAR 目前还够用，但可能在未1 l S来某个时候需要金属氧化物光刻胶。英特尔目标插入点是 Intel 14A 工艺（本站注：预计 2026~2027 年量产），这可能比预期的要更快。
以上就是英特尔确认 ASML 第二台 High NA EUV 光刻机完w x U m E L成安装的/ O ^ o e详细内容！
原创文章，作者:【好易之】如转载请注明出处：https://www.zhengjiaxi.com/zxwd/itzx/117820.html
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