当半导体制造工艺演进到22nm及以下节点时，随着多重图形技术的引入，对不同工艺层之间套刻（overlay）误差的要求变得越来越高。套刻测量技术可分E ! J 4 [ f为基于像面图像识别测量技术和基于衍射原理的dbo（diffractp L Q s – xion based overlay）测量技术。相比于基于图像识别5 + I ] % q G的方法，基于衍射的套刻误差测量具有更好的测量结果重复性、更低的设备引起测量误差tis（tool introduced shift）、可适应更小的X h / m W特征尺寸等特点，成为大规模集成电路22nm及以下工艺技术节点所广泛采e p 6 H * , T )用的套刻测量方式。为了测量套刻误差，在晶圆上需要专门设计特定的套刻标记，套刻误差装置测量的性能很大l | ? E Y } ) [ !程度上取决于套刻标记的设计。基于计算光刻的dbo套刻标识优化工具可以仿真套刻误差测量的关键指标，从而基于仿真结果可以给出具有更佳表现的套刻标记设计方案，进而缩短标记研发的周期并提高整个光刻过程的效率和质量。东方晶源基于坚实的计算光刻平台panr h o l x M p 3gen推出了dbo套S # ; J x + N I |刻标记仿真优化产品panovl，可以对套刻标记从多个关键指标维度展开计算仿真。同时考虑大规模仿真海量套刻标记的应用场景，panovl引入了分布式D D t | w的计算\ Z i框架，大大加速了通过仿真寻找更优套刻标记的效率。东方晶源的panovl软件利用pangen opc引擎以及pangen sim严格电磁场/ T M ,仿真引擎，借助gpu+cpu混算平台和pangen分布\ z b i A X L式计算框架，可以进行大规模套刻标记仿真，并综合多个维度的仿真结果优选出表现更佳的套刻标记方案用于; @ i } f 9 * ^ X实际光刻工艺。panovl可以识# 9 * C Q 7 / z :别具有较大工艺窗口的套刻标记、给出满足良好信噪比并且探测信号抗工艺扰动能力更强的套刻标记，还可以仿真曝光过程像G j _ 3 u + W差对套刻标记的影响，提供令套刻测量结果更贴合器件实际情况的套刻标记。
1. 东方晶源发布 PanOVL 产品，丰富了 PanGen 计算光刻5 @ 9平台产品矩阵。
- PanOVL 产品将成为连接产业链上下游的纽带，为客户提供更全面的服务，助力客户提升晶圆制造能力。
- PanOVL 的研发将巩固东方& s H l晶源在计算光刻领域的全面性和拓展性，为业界提供更先进、更具前瞻性的晶圆制造 EDA 解决方案。
以上就是东方晶源PanGen平台再添新成员 套刻标记优化工具PanOVL上线的详细内容！O U 7 A H
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