天眼查显示，芯联集成电路制造股份有限公司“半导体器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请公布号为cn118692929a。
本申请公开了q _ z N m h一种半导体器件及其制备方法，其制备方法如下：
- 提供第一晶圆，并在其第一键合面上形成第一金属密封环，该密封环外侧间y M q } , J I K隔设置至少三9 @ q u x Q % g个第一凹槽。
- 提供第二晶圆，并在其第二键合面上形成与第一金属密封; q ` A o 0 f环形状匹配的第二金属密封环，该密封环外侧间隔设置至少三个第二凹槽。
- 使用隔片间隔第一晶圆和第二晶圆，并使用固定件固定晶圆。
- 将第一晶圆q r } t 6、第二晶圆、固定件和隔片整体放入键合腔室，并控制腔室达到预设真空度和气体氛围。
- 对第一金属密封环和第二金属密封环预热。
- 移去隔片，键合第一金属密封环和第二金属密封环。
采用本申请的技术方案，可以实t b m现更佳的键合效果。
以上就k [ b | C V J是芯联集成“半导# l } R @体器件及其制备方法”专利公布的详细内容！
本文由【好易之】整理自网络！
原创文章，作者:【好易之】如转载请注明出处：https://www.zhengjiaxi.com/zxwd/itzx/118196.html
如有侵权，请邮件联系 aoduoye@qq.com 删除。
本站发布的文章及附件仅限用于学习和研究目的;不得将上述内容用于商业或非法用途，否则后果请用户自负。
本站信息来自网络，版权争议与本站无关。您必须在下载后的24个小时之内，从您的电脑中彻底删除上述内容。
如果您喜欢该程序，请支持正版软件，购买注册，得到更好的正版服务。如有侵权请邮件与我们联系处理。
原创文章，作者:【好易之】如转载请注明出处：https://www.zhengjiaxi.com/zxwd/itzx/118196.html
如有侵权，请邮件联系 aoduoye@qq.com 删除。
本站发布的文章及附件仅限用于学习和研究目的;不得将上述内容用于商业或非法用途，否则后果请用户自负。
本站信息来自网络，版权争议与本站无关。您必须在下载后的24个小时之内，从您的电脑中彻底删除上述内容。
如果您喜欢该程序，请支持正版软件，购买注册，得到更好的正版服务。如有侵权请邮件与我们联系处理。
微信扫一扫 
