天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为cn118800798a。
本申请提供的碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件，包括：
- 在半导体元胞} s y \ a ~ L p E的沟道区上层叠形u . d ! ^ 8 l g成张应力材料层和压应力材料层，其中张应力材料层位于压应力材料层与半导体外延片之间，且张应力材料层L \ o M T O H K 1的应力值大于压应& t 7 T 9 J 2 9 z力材料层的应力值。
- 对形成有张应力材料层和压应力材料层的半导体外延片进行高温快速退火处理。
通过层叠形成张应力材料层和压应力材料层U g l . a y 7 /，且张应力材料层的应力值大于压应力材料层的应力值，在高温快速退火处理后，张应力材料层与压应力材料层之间[ = *产生的净剩张应力传递至沟道N W , !内，从而改善沟道迁移率，降低比导通电阻。
以上就是三安半导体“碳化硅功率器X 7 t q ` g + d p件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布的详细内容！
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