天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“一种p沟道分栅sonos存储器阵列及其操作方法”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为cG \ D n a H W G fn118804598a。
本发明提供一种P沟道分栅Y _ O g Q K Z $ 5SONOS存储器阵列，包括P型衬底；位于P型衬底内的N阱；位于N阱上的挨着的第一、第二和第三多晶硅栅，第一多晶硅栅包括ONO介质层和位于ONO介质层上方的第一多晶硅栅极；第二多晶硅栅包括栅氧层和位] 2 d i | a 6 n ~于栅氧层上方的第二多晶硅栅L 4 `极；第q | O C三多晶硅栅包括ONO介质层和位于ONO介质层上方的第三多晶硅栅极；以及源极和漏极9 t ; ~ T Y。本发明还提供一种P沟道分栅SONOS存储器阵列的操作方L & c % x t ! V法，在N阱、第一、第二和第三多晶硅栅极、源极和漏极施加各操作电压，以实现写入、擦除和读取操作。本发明的P沟道分栅SONOS存储器阵列既比传统的SONOS存储阵列节省面积Y A + m，在工艺制造中，又比N沟道SON\ + @OS存储器省了一张深N阱的光罩，节约了工艺成本。
以上就是华虹宏力“一种P沟道分栅SONOS存J 1 A p y储器阵列及其操作方法”专利公布的详细内容！
本文由【好易之】整理自网络！
原创文章，作者:【好易之】如转载请注明出处：https://www.zhengjiaxi.com/zxwd/itzx/118964.html
如有侵权，请邮件联系 aoduoye@qq.com 删除。
本站发布的文章及附件仅限用于学习和研究目的;不得将上述内容用于商业或非法用途，否则后果请用户自负。
本站信息来自网络，版权争议与本站无关。您必须在下载后的24个小时之内，从您的电脑中彻底删除上述内容。
如果您喜欢该程序，请支持正版软件，购买注册，得到更好的正版服务。如有侵权请邮件与我们联系处理。
原创文章，作者:【好易之】如转载请注明出处：https://www.zhengjiaxi.com/zxwd/itzx/118964.html
如有侵权，请邮件联系 aoduoye@qq.com 删除。
本站发布的文章及附件仅限用于学习和研究目的;不得将上述内容用于商业或非法用途，否则后果请用户自负。
本站信息来自网络，版权争议与本站无关。您必须在下载后的24个小时之内，从您的电脑中彻底删除上述内容。
如果您喜欢该程序，请支持正版软件，购买注册，得到更好的正版服务。如有侵权请邮件与我们联系处理。
微信扫一扫 
