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济南大学APL: p-Si/CsPbBr3 异质结构光电探测器

       
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一、研究背景

  1. 光电探测器 (PD) 在生物医学、成像、通信和监测中至关重要。
  2. 传统光电探测器面临探测能力、速度和成本方面的限制。
  3. 金属卤化物钙钛矿半导体因其可调带隙、高吸收率、高迁移率和低成本而成为有前途的替代品。
  4. 全无机铅基卤化物钙6 % 0 4钛矿 (CsPbX3) 具有优异的光学和环境稳定性。
  5. 旋涂技术用于制造钙钛矿光电探测器,但其可重复性和可控性存在挑战。

1 e G c # _ ^ * \、研究进展

  1. 脉冲激光沉积 (PLD) 是一种替代旋涂技术的无溶剂沉积方法。
  2. PLD 可精确复制目标材料的化学成分,并提升薄膜厚度和均匀性控制。
  3. { 8 u J A 3 ~ .者利用 PLD 在 SrTiOA D ( 5 93 衬底上成功生长了 CsPbX3 薄膜,具有高晶体质量和相稳定性。
  4. 基于 PLD 生长的 CsPbBr3 外延薄膜构建的 MSM 型光电探测器具有超低暗电流和高探测率。
  5. 钙钛矿材料与硅半导体的异质结构集成可降低成本并提升性能。

三、图文简介

[图文内容]

济南大学APL: p-Si/CsPbBr3 异质结构光电探测器

P h D 1 CsPbBr3薄膜在Si(100)衬底上的表征

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图 2 CsPbBr3薄膜表面的AFM图像

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图 3 器件性能

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图 4 光电探测器的光响应特性及性能评估

济南大学APL: p-Si/CsPbBr3 异质结构光电探测器

图 51 + ) i x F p-Si-CsPbBr3异质结构光4 w h \ R W p电探测器的能带结构与工作原理

济南大学APL: p-Si/CsPbBr3 异质结构光电探测器

图 6:Si/CsPbBr3 异质结能带结构与 p-Sie 9 i * o [ , Y/CsPbBr3 光电探测器性能模拟。

阅读启发:

通过学习脉冲激光沉^ e – ^ r w – ( –积 (PLD) 技术的原理和方法,以及 Si-PVK 叠层探v d 9 W y M测器的能带原理,读者可以深入理解这些技术和器件的特性。

文献链接:https://doi.org/10.1063/5.0234708

以上就~ 0 K #是济南大学APL: p-Si/CsPbBr3 异质结构光电探测器的详细内容!

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