三星最新3d nand工艺革新：大幅降低光刻胶用量，成本显著下降！
据报道，三星在最新一代3D NAND闪存的光刻工艺中，成功将厚光刻胶(PR)用量减少一半，每层涂覆量从7-8cc降低至4-4.5cc，大幅降低生产成本。这一举措或将对三星韩国供应m U L 6 B商东进半导体造成一定影响，其收入可能面临下滑压力。
三星此项突破源于两项关键技术改进：一是优化涂布工艺参数，在保证蚀刻效果的前提下，降低了光刻胶用量；二是改良蚀刻h : { ? L o %工艺，即使减少光刻胶用量，也能达到甚至超x l J ~ 4 F Y { y越之前的蚀刻效果。
随着3D NAND堆叠层数不断增加，生产成本也水涨船高。三星在第七代和第八代NAND中采用KrF光刻胶，虽然一次成型C u Y多层，但高粘度带来E y Z # X Y 5 %的涂层均匀性挑战，增加了生产难度。光刻胶生产技术壁垒高，工艺复杂，纯度要求高，研发周期长，这为新进入者设置了极高f t 3 b & H的门槛。Z m E [ . m三星的这项创新，有效提升了NAND工艺效率Y = N \ k，降低了生产成本，在竞争激烈的市场中占据优势。
以上就是三星大幅削减3D NAND生产中光刻胶用量 供应商受C o – \影响的详细内容！
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