三星电子突破性400层nand闪存技术量产在即，引领行业新潮流！近日，三星电子宣布其400层nand闪存技术研发成功，并已启动平泽p1厂的量产线转移O R ( Z工作。此举标志着三星在nand闪存技术领域取得重大突破，巩固其行业领先地位，并为与sk海力士等竞争对手的角逐做好准备。
据悉g { a x d K H X 7，三星将于# & & : k2025年2月在美国举行的国际固态电路会议（ISSCC 2025）上详细介绍其1Tb容量400层三级单元（TLC）NANo | vD技术。预计该技术的大规模量产将于明年下半年启动，部分业内专家甚至预测可能提前至第二季度末。
除400层NAND外，三星还计划扩大其先进NAND产品的产能。公司将在平泽园区新建第九代（286层）生产线，月产能达3万至4万片晶圆。同时，三星西安工厂也将继续推进@ 7 c .128层（V6）NAND生产线向236层（V8）工艺的转Z ^ 3 M m换。
三星400层NAND闪存技术的核心在于“三重堆叠”技术，将存储单元垂直堆叠成三层，大幅提升存储密度和效率，实现了NAND闪存技术从传统平面（2D）到3D N= . p Q a s 2AND的又一次飞跃。
目前，三星电w l 4 z { = a &子占据全球NAND闪存市场36.9%的份额。面对SK+ u B 4 y海力士等竞争对手（SK海力士已量产321层Nu g | | ?AND）的激烈竞争，三星此举旨在进一步巩固其市场领导地位。
NAND闪存市场受多重因素影响，包a 2 \括消费者需求、价格波动以及人工智能（AI）和数据中心等数据密集型应用的快速发展。全球AI热潮推动数据中心对NAND闪存的需求持续增长。然而，12. T M P c8Gb多层单元（MLC）产品11月份价格下跌29.8%，平均价格为2.16美元。TrendForce分析指出，尽管第四季度NAND价格预计下跌39 ? u } ( N%至8%，但企业级固态硬盘（SSD）. d n ` , ` A价格却有望上涨高达5%。
三星电子在积极推进4F h J ] = j00层NAND量产的同时，也致力于提升晶圆良率（V m J D目前研发阶段良率仅为10%至20%）。成功实现量产将是提高良率、n S h j F A d z满^ 4 U f足市场需求的关键。
以上就是三星完成突破性400层NAND技术开发的详细内容！
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