三星电子启动1c nm制程dram量产设备采购,计划明年2月投入生产!据韩媒zdnet报道,三星电子近期已向泛林集团等半导体设备厂商订购下一代1c nm制程dram的量产设备,预计明年2月运抵位于韩国平泽p4工厂– x @ w e的首条量产线。
虽然三星尚未公开1c nm(第六代10nm级制程)DRAM的相关信息,但据悉其试生产已取得成功,并获得首批合格晶粒。业内人士A c I f u + c I分T 8 [析,三星初期投资规模不会过大D Z k ? – = t b 9,主要原因在于1c nm制程DR) ( k \ a ` 5 U (AM良率仍需进一步提升。待工艺成熟后,三星将追加投资。
值得关注的K S , j U `是,三星已确认将在下一代HBM4内存中采用1c nm DRAM。1c nm制M & t @程的成功与否,将直接影响三星在竞争激烈的HBM内存市场上的竞争力,能否追赶甚至超越SP 7 4 V V [ ! r pK海力士# ) ~ p y 8 G。
以上就是消息称三星电子启动下代 1c nm DRAMP ^ \ n z | 内存量产设备订购,明年 2 月引进的详细B 9 3 T $ 3 c @ 9内容!