本站 9 月 10 日消息，日本信越化学当地时间本月 3 日宣布成功开发出用于氮化镓 gan 外延生长的 300mm（本站注：一般也称 12 英寸）的 qst 衬底，并已从近期开始向客户供应相关样品。相较于以 12 英寸晶圆为主流的硅半导体，氮化镓生产目前仍集X K I 8 S G v中在 6 英寸与 8 英寸上，这其中y q I部分是因为氮化镓和硅热存在热膨胀系数差异，大尺寸硅基衬底容易导致在其上生长的氮化镓外延层出现翘曲与开裂。信越化学的 qsh v 3 =t 衬底技术源自美国企业 qromis 的专利授^ G ( o h { v b权，这一复合材料具有同氮化镓更为接近的热膨胀系数，减T S O h少了大尺寸衬底上氮化镓外延层出现缺陷的风险，更适宜大厚度、高– * ] k [ n z电压氮化镓器件的制造。
信越化学此前已推出 6 英寸和 8 英寸的 QST 衬底，此次 12 英寸款开发成功% a I H c l ~有助于提升氮化镓生产规模、降低远期产线持续运行成本，从而推低氮化镓产D – – Q !品的价格、加速氮化镓器件的普及。
以上就是信越化学 12 英寸氮化镓外延生长 QST 衬底出样，有助于降低 GaN 产品成本的详细内容！
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